رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHB16N50C-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHB16N50C-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
945 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920371
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHB16N50C-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SIHB16
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SIHB16N50C-E3DKR-DG
SIHB16N50C-E3-DG
SIHB16N50C-E3CT-DG
SIHB16N50C-E3CT
SIHB16N50C-E3TR
SIHB16N50C-E3DKRINACTIVE
SIHB16N50C-E3CTINACTIVE
SIHB16N50C-E3DKR
742-SIHB16N50C-E3
SIHB16N50C-E3TR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQ3419EEV-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
SQM120N04-1M4L_GE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SIR436DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8