SIHB24N65EFT1-GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SIHB24N65EFT1-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SIHB24N65EFT1-GE3-DG

وصف:

N-CHANNEL 650V
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

2741 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977784
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SIHB24N65EFT1-GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2774 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
SIHB24N65EF

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
742-SIHB24N65EFT1-GE3CT
742-SIHB24N65EFT1-GE3DKR
742-SIHB24N65EFT1-GE3TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFR9024PBF-BE3

P-CHANNEL 60V

vishay-siliconix

SQ3461EV-T1_BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2304BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIDR638DP-T1-RE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET