SIHB30N60ET1-GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SIHB30N60ET1-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SIHB30N60ET1-GE3-DG

وصف:

N-CHANNEL 600V
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

1216 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977886
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SIHB30N60ET1-GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
29A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2600 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
SiHB30N60E

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
742-SIHB30N60ET1-GE3CT
742-SIHB30N60ET1-GE3TR
742-SIHB30N60ET1-GE3DKR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SIDR680DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ464EP-T1_BE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2369DS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2302CDS-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET