رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHD3N50D-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHD3N50D-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12919972
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHD3N50D-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
175 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SIHD3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK3P50D,RQ(S
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1899
DiGi رقم الجزء
TK3P50D,RQ(S-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD3NK50ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2443
DiGi رقم الجزء
STD3NK50ZT4-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOD3N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
8729
DiGi رقم الجزء
AOD3N50-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7445DP-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
SQS401ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
SQ7415AEN-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
