رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHF12N50C-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHF12N50C-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
المخزون:
863 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920224
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHF12N50C-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
555mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1375 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Full Pack
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
SIHF12
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SIHF12N50C-E3DKR-DG
SIHF12N50C-E3CT
SIHF12N50C-E3CT-DG
SIHF12N50C-E3DKRINACTIVE
SIHF12N50C-E3TR
SIHF12N50C-E3TR-DG
SIHF12N50C-E3TRINACTIVE
SIHF12N50C-E3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIJA54DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SI2319DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
SI7658ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8