رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHG14N50D-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHG14N50D-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
المخزون:
12921132
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHG14N50D-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1144 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SIHG14
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SIHG14N50DE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIHG14N50D-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
491
DiGi رقم الجزء
SIHG14N50D-GE3-DG
سعر الوحدة
1.36
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IXFH20N50P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
146
DiGi رقم الجزء
IXFH20N50P3-DG
سعر الوحدة
2.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW14NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
66
DiGi رقم الجزء
STW14NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.95
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTH24N50L
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTH24N50L-DG
سعر الوحدة
26.61
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVN3320ASTOA
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
DMS2220LFDB-7
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
SIHJ7N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
