SIHG22N50D-E3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SIHG22N50D-E3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SIHG22N50D-E3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247AC

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12960448
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SIHG22N50D-E3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1938 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
312W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SIHG22

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
SIHG22N50D Series
مخططات البيانات
SIHG22N50D-E3
ورقة بيانات HTML
SIHG22N50D-E3-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
500

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STW19NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
337
DiGi رقم الجزء
STW19NM50N-DG
سعر الوحدة
3.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW20NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
728
DiGi رقم الجزء
STW20NK50Z-DG
سعر الوحدة
2.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFJ26N50P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
30
DiGi رقم الجزء
IXFJ26N50P3-DG
سعر الوحدة
13.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTH24N50L
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTH24N50L-DG
سعر الوحدة
26.61
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTH16N50D2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
291
DiGi رقم الجزء
IXTH16N50D2-DG
سعر الوحدة
10.39
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SI1426DH-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6

vishay-siliconix

IRFRC20TRR

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

vishay-siliconix

SI7172DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFP460LCPBF

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3