رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHG80N60E-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHG80N60E-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
المخزون:
12787674
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHG80N60E-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
443 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6900 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
520W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SIHG80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW88N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1062
DiGi رقم الجزء
STW88N65M5-DG
سعر الوحدة
11.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJQ100EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
SUA70090E-E3
MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
