رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHP15N50E-BE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHP15N50E-BE3-DG
وصف:
N-CHANNEL 500V
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 14.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
848 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977852
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHP15N50E-BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1162 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
742-SIHP15N50E-BE3TR
742-SIHP15N50E-BE3
742-SIHP15N50E-BE3TR-DG
742-SIHP15N50E-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP15N50E-BE3CTINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2366DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SIHP7N60E-BE3
N-CHANNEL 600V
SQJ860EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
