رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHP21N80AEF-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHP21N80AEF-GE3-DG
وصف:
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 16.3A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
986 قطع جديدة أصلية في المخزون
12959049
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHP21N80AEF-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Bulk
سلسلة
EF
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1511 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
179W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
742-SIHP21N80AEF-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIHG21N80AEF-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
464
DiGi رقم الجزء
SIHG21N80AEF-GE3-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQSA70CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
IPA082N10NF2SXKSA1
TRENCH >=100V PG-TO220-3
STO65N60DM6
N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4
