رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHP25N40D-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHP25N40D-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
986 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920943
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHP25N40D-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
170mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1707 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
278W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SIHP25
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SIHP25N40D-E3DKRINACTIVE
SIHP25N40D-E3CT
SIHP25N40D-E3TR-DG
SIHP25N40D-E3TR
SIHP25N40D-E3DKR
SIHP25N40D-E3CT-DG
SIHP25N40D-E3DKR-DG
SIHP25N40D-E3TRINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
SIR668DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
TPN7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON