رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHP6N80AE-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHP6N80AE-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
961 قطع جديدة أصلية في المخزون
12987336
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHP6N80AE-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
422 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SIHP6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
742-SIHP6N80AE-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
GT035N06T
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
DMN3069L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NP88N04NUG-S18-AY
NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
