رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHS36N50D-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHS36N50D-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 36A (Tc) 446W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
المخزون:
12917691
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHS36N50D-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3233 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
446W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
SUPER-247™ (TO-274AA)
العبوة / العلبة
TO-274AA
رقم المنتج الأساسي
SIHS36
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SIHS36N50DE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3465DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP
SI2343DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
PMPB20EN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
