رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIJ450DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIJ450DP-T1-GE3-DG
وصف:
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
وصف تفصيلي:
N-Channel 45 V 36A (Ta), 113A (Tc) 4.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
12958712
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIJ450DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
45 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Ta), 113A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+20V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5920 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4.8W (Ta), 48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIJ450DP-T1-GE3DKR
742-SIJ450DP-T1-GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
SQJQ140E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
MCP20N70-BP
MOSFET N-CH
