رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR120DP-T1-RE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR120DP-T1-RE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 24.7A (Ta), 106A (Tc) 5.4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
14471 قطع جديدة أصلية في المخزون
12787628
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR120DP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24.7A (Ta), 106A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.55mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4150 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.4W (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIR120
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIR120DP-T1-RE3TR
SIR120DP-T1-RE3CT
SIR120DP-T1-RE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
SUM90N06-4M4P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO263
SIHP100N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
