رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR182DP-T1-RE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR182DP-T1-RE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
3679 قطع جديدة أصلية في المخزون
12919108
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR182DP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3250 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
69.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIR182
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIR182DP-T1-RE3DKR
SIR182DP-T1-RE3CT
SIR182DP-T1-RE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQM100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
SIDR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
SI4453DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
