رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR424DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR424DP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12786268
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR424DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1250 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIR424
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIR424DP-T1-GE3CT
SIR424DP-T1-GE3TR
SIR424DP-T1-GE3DKR
SIR424DP-T1-GE3-DG
SIR424DPT1GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR466DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS626DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8
SIHG17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
