رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR632DP-T1-RE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR632DP-T1-RE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 29A (Tc) 69.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
1096 قطع جديدة أصلية في المخزون
12786367
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR632DP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
ThunderFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
29A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
34.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 7.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
740 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
69.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIR632
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIR632DP-T1-RE3TR
SIR632DP-T1-RE3CT
SIR632DP-T1-RE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
QH8KA4TCR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
18377
DiGi رقم الجزء
QH8KA4TCR-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RS6R060BHTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
4875
DiGi رقم الجزء
RS6R060BHTB1-DG
سعر الوحدة
1.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQM40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
SIHG17N60D-GE3
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
SIR820DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8