رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR770DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR770DP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
المخزون:
12916807
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR770DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
17.8W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8 Dual
رقم المنتج الأساسي
SIR770
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIR770DP-T1-GE3TR
SIR770DP-T1-GE3CT
SIR770DP-T1-GE3-DG
SIR770DP-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SH8KA2GZETB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2907
DiGi رقم الجزء
SH8KA2GZETB-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SH8KA4TB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
41573
DiGi رقم الجزء
SH8KA4TB-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
HP8K24TB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
9480
DiGi رقم الجزء
HP8K24TB-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STL40DN3LLH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
STL40DN3LLH5-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIB900EDK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC75-6L
SI1026X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
SI3586DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
