رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR800ADP-T1-RE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR800ADP-T1-RE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 50.2A (Ta), 177A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
12039 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920744
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR800ADP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50.2A (Ta), 177A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.35mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+12V, -8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3415 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIR800
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIR800ADP-T1-RE3TR
SIR800ADP-T1-RE3CT
SIR800ADP-T1-RE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUM50P10-42-E3
MOSFET N-CH 100V 36A TO263
SIHH180N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
2SJ652-1E
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
