رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR840DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR840DP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
12916797
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR840DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIR840
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIR840DPT1GE3
SIR840DP-T1-GE3TR
SIR840DP-T1-GE3CT
SIR840DP-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
SQ1470AEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
SIHG039N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
