رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIRA28BDP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIRA28BDP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 38A (Tc) 3.8W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
6527 قطع جديدة أصلية في المخزون
12917487
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIRA28BDP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 38A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+20V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
582 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 17W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIRA28
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIRA28BDP-T1-GE3CT
SIRA28BDP-T1-GE3TR
SIRA28BDP-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
SQM50N04-4M0L_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
