رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIRC06DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIRC06DP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
12786770
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIRC06DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Ta), 60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+20V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2455 pF @ 15 V
ميزة FET
Schottky Diode (Body)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIRC06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIRC06DP-T1-GE3CT
2266-SIRC06DP-T1-GE3TR
SIRC06DP-T1-GE3TR
SIRC06DP-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
SIR670DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SIR606DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
