SIRS4401DP-T1-GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SIRS4401DP-T1-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SIRS4401DP-T1-GE3-DG

وصف:

P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 46.8A (Ta), 198A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

المخزون:

10980 قطع جديدة أصلية في المخزون
12998803
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SIRS4401DP-T1-GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46.8A (Ta), 198A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
588 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
21850 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIRS4401

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIRS4401DP-T1-GE3DKR
742-SIRS4401DP-T1-GE3TR
742-SIRS4401DP-T1-GE3CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
taiwan-semiconductor

TSM180N03CS

30V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4436CS

60V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay-siliconix

SISS5112DN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

taiwan-semiconductor

TSM340N06CH

60V, 25A, SINGLE N-CHANNEL POWER