رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SISHA14DN-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SISHA14DN-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 19.7A (Ta), 20A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
المخزون:
9870 قطع جديدة أصلية في المخزون
12918113
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SISHA14DN-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19.7A (Ta), 20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+20V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8SH
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8SH
رقم المنتج الأساسي
SISHA14
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SISHA14DN-T1-GE3CT
SISHA14DN-T1-GE3TR
SISHA14DN-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIRA18BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
SI7459DP-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
SI6459BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8TSSOP
