رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIZF906ADT-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIZF906ADT-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
المخزون:
12787748
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIZF906ADT-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual), Schottky
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
8-PowerPair® (6x5)
رقم المنتج الأساسي
SIZF906
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIZF906ADT-T1-GE3DKR
SIZF906ADT-T1-GE3CT
SIZF906ADT-T1-GE3TR
2266-SIZF906ADT-T1-GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
VQ1001P-2
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
