رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQ2301ES-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQ2301ES-T1_GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
المخزون:
6870 قطع جديدة أصلية في المخزون
12786214
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQ2301ES-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
425 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TA)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236 (SOT-23)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
SQ2301
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQ2301ES-T1_GE3DKR
742-SQ2301ES-T1_GE3CT
SQ2301ES-T1_GE3CT
742-SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR-DG
SQ2301ES-T1_GE3CT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHP30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
SUD50N025-06P-E3
MOSFET N-CH 25V 78A TO252
SIJ438ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK