SQ2337ES-T1_BE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SQ2337ES-T1_BE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SQ2337ES-T1_BE3-DG

وصف:

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

المخزون:

284851 قطع جديدة أصلية في المخزون
12939256
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SQ2337ES-T1_BE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
620 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
SQ2337

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQ2337ES-T1_BE3DKR
742-SQ2337ES-T1_BE3CT
742-SQ2337ES-T1_BE3TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SQ3426EV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP

vishay-siliconix

SQ3481EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

vishay-siliconix

SI2336DS-T1-BE3

MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23

vishay-siliconix

SI3443BDV-T1-BE3

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP