رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQ2364EES-T1_BE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQ2364EES-T1_BE3-DG
وصف:
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
4499 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977797
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQ2364EES-T1_BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQ2364EES-T1_BE3TR
742-SQ2364EES-T1_BE3CT
742-SQ2364EES-T1_BE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHP6N80E-BE3
N-CHANNEL 800V
SQJ457EP-T1_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ170ELP-T1_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET