SQ2389ES-T1_BE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SQ2389ES-T1_BE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SQ2389ES-T1_BE3-DG

وصف:

MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 4.1A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

المخزون:

102060 قطع جديدة أصلية في المخزون
12939463
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SQ2389ES-T1_BE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
94mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
SQ2389

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQ2389ES-T1_BE3TR
742-SQ2389ES-T1_BE3CT
742-SQ2389ES-T1_BE3DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SUD19N20-90-BE3

MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

vishay-siliconix

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

rohm-semi

RTQ025P02HZGTR

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6

vishay-siliconix

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP