رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQ3427EV-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQ3427EV-T1_GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 5.3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
17711 قطع جديدة أصلية في المخزون
12916117
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQ3427EV-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
SQ3427
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SQ3427EV-T1_GE3CT
SQ3427EV-T1_GE3-DG
SQ3427EV-T1_GE3TR
SQ3427EV-T1-GE3
SQ3427EV-T1_GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQ3427AEEV-T1_BE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
9028
DiGi رقم الجزء
SQ3427AEEV-T1_BE3-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
SQ3427EV-T1_BE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2253
DiGi رقم الجزء
SQ3427EV-T1_BE3-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4362BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 29A 8SO
SQA410EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
SIHG120N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
