رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQ3481EV-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQ3481EV-T1_GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 7.5A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
4043 قطع جديدة أصلية في المخزون
12916914
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQ3481EV-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
43mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
870 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
SQ3481
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SQ3481EV-T1_GE3CT
SQ3481EV-T1_GE3-DG
SQ3481EV-T1_GE3DKR
SQ3481EV-T1_GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIHG73N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
SIHH21N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8