رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQ4153EY-T1_BE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQ4153EY-T1_BE3-DG
وصف:
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
474 قطع جديدة أصلية في المخزون
12954970
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQ4153EY-T1_BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
151 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11000 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
7.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
SQ4153
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
742-SQ4153EY-T1_BE3TR-
742-SQ4153EY-T1_BE3CT
742-SQ4153EY-T1_BE3TR
742-SQ4153EY-T1_BE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQ4153EY-T1_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
560
DiGi رقم الجزء
SQ4153EY-T1_GE3-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCPF380N60E-F154
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
IPD90P04P405ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
H5N2305P-E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
