رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQ4920EY-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQ4920EY-T1_GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
10759 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920944
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQ4920EY-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1465pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
4.4W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SQ4920
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SQ4920EY-T1-GE3
SQ4920EY-T1_GE3DKR
SQ4920EY-T1_GE3-DG
SQ4920EY-T1_GE3TR
SQ4920EY-T1_GE3CT
SQ4920EY-T1-GE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJB00EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
SI8901EDB-T2-E1
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6MICROFOOT
FDW2520C
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP
