SQJ420EP-T1_BE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SQJ420EP-T1_BE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SQJ420EP-T1_BE3-DG

وصف:

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

المخزون:

5774 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977773
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SQJ420EP-T1_BE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1860 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQJ420EP-T1_BE3CT
742-SQJ420EP-T1_BE3TR
742-SQJ420EP-T1_BE3DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SIHFU310-GE3

MOSFET N-CHANNEL 400V

vishay-siliconix

SIHFR9310TRL-GE3

MOSFET P-CHANNEL 400V

vishay-siliconix

SI2318CDS-T1-BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

IRFR420PBF-BE3

N-CHANNEL 500V