رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQJ476EP-T1_BE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQJ476EP-T1_BE3-DG
وصف:
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 23A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
2862 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977816
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQJ476EP-T1_BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
38mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQJ476EP-T1_BE3TR
742-SQJ476EP-T1_BE3DKR
742-SQJ476EP-T1_BE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQJ476EP-T1_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1656
DiGi رقم الجزء
SQJ476EP-T1_GE3-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2333DDS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
SIHA21N60EF-GE3
N-CHANNEL 600V
SIHFR9220-GE3
MOSFET P-CHANNEL 200V