رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQJ500AEP-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQJ500AEP-T1_GE3-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
المخزون:
7854 قطع جديدة أصلية في المخزون
12787017
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQJ500AEP-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
-
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38.1nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1850pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
48W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8 Dual
رقم المنتج الأساسي
SQJ500
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SQJ500AEP-T1_GE3DKR
SQJ500AEP-T1_GE3CT
SQJ500AEP-T1_GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
SQJB90EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
SIZ904DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
