رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQJ840EP-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQJ840EP-T1_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
12918190
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQJ840EP-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.3mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
46W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SQJ840
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SQJ840EP-T1-GE3
SQJ840EP-T1-GE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHP105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
SI3493DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
SQD25N06-22L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
