رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQJ858AEP-T1_BE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQJ858AEP-T1_BE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12954625
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQJ858AEP-T1_BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
58A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2450 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SQJ858
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQJ858AEP-T1_BE3DKR
742-SQJ858AEP-T1_BE3TR
742-SQJ858AEP-T1_BE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON7596
MOSFET N-CH 3X3 DFN
SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
AON6362FH
MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
