رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQJQ130EL-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQJQ130EL-T1_GE3-DG
وصف:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 445A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
المخزون:
12976046
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQJQ130EL-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
445A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.52mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
455 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
23345 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
600W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 8 x 8
العبوة / العلبة
PowerPAK® 8 x 8
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
742-SQJQ130EL-T1_GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJQ184ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
NTMFS015N10MCLT1G
MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
FDC5612-G
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
