رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQJQ410EL-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQJQ410EL-T1_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 135A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
المخزون:
451 قطع جديدة أصلية في المخزون
12786812
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQJQ410EL-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
135A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 8 x 8
العبوة / العلبة
PowerPAK® 8 x 8
رقم المنتج الأساسي
SQJQ410
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
SQJQ410EL-T1_GE3CT
SQJQ410EL-T1_GE3DKR
SQJQ410EL-T1_GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHB12N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
SIHB12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
SQD50N04-5M6_T4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
