رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQM120N04-1M7_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQM120N04-1M7_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12920662
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQM120N04-1M7_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
17350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SQM120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SQM120N04-1M7-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA300N04T2-7
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA300N04T2-7-DG
سعر الوحدة
3.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB90N04S402ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
995
DiGi رقم الجزء
IPB90N04S402ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.28
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUM25P10-138-E3
MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
SIR104DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
SIR774DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
