رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQM40010EL_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQM40010EL_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12915833
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQM40010EL_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
17100 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SQM40010
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SQM40010EL_GE3TR
SQM40010EL_GE3DKR
SQM40010EL_GE3-DG
SQM40010EL_GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB120N04S401ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1863
DiGi رقم الجزء
IPB120N04S401ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQ4005EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
PMPB10XNEAX
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
SI4420BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
