رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQM40014EM_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQM40014EM_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
المخزون:
12917802
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQM40014EM_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15525 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263-7
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
SQM40014
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SQM40014EM_GE3CT
SQM40014EM_GE3TR
SQM40014EM_GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB240N04S41R0ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
963
DiGi رقم الجزء
IPB240N04S41R0ATMA1-DG
سعر الوحدة
2.09
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFS7434TRL7PP
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8442
DiGi رقم الجزء
IRFS7434TRL7PP-DG
سعر الوحدة
1.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
VS-FC270SA20
MOSFET N-CH 200V 287A SOT227
SIHF065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220
