رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQM50N04-4M1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQM50N04-4M1_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12919287
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQM50N04-4M1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6715 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SQM50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SQM50N04-4M1_GE3-DG
SQM50N04-4M1-GE3
SQM50N04-4M1_GE3CT
SQM50N04-4M1-GE3-DG
SQM50N04-4M1_GE3TR
SQM50N04-4M1_GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUK964R4-40B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7464
DiGi رقم الجزء
BUK964R4-40B,118-DG
سعر الوحدة
1.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB170NF04
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
488
DiGi رقم الجزء
STB170NF04-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF1404STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1786
DiGi رقم الجزء
IRF1404STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB80N04S4L04ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
681
DiGi رقم الجزء
IPB80N04S4L04ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB80N04S404ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2000
DiGi رقم الجزء
IPB80N04S404ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7Y3R5-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
SIR890DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
