رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQM60030E_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQM60030E_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
530 قطع جديدة أصلية في المخزون
12919215
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQM60030E_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SQM60030
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SQM60030E_GE3DKR
SQM60030E_GE3TR
SQM60030E_GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
SQS484ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
