رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQS660CENW-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQS660CENW-T1_GE3-DG
وصف:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
المخزون:
3967 قطع جديدة أصلية في المخزون
12954772
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQS660CENW-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.2mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1950 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8W
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8W
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQS660CENW-T1_GE3TR
742-SQS660CENW-T1_GE3CT
742-SQS660CENW-T1_GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
AUIRFR5505TRL
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
