رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQW61N65EF-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQW61N65EF-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 62A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247AD
المخزون:
327 قطع جديدة أصلية في المخزون
12948270
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQW61N65EF-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
62A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
52mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
344 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7379 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SQW61
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
742-SQW61N65EF-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJ136ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
STP7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
BS250PSTZ
MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
