رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUD19N20-90-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUD19N20-90-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
3073 قطع جديدة أصلية في المخزون
12919272
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUD19N20-90-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SUD19
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
SUD19N20-90-E3TR
SUD19N2090E3
SUD19N20-90-E3DKR
SUD19N20-90-E3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4409DY-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
SUP85N02-03-E3
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
SIR468DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
