رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUD50N02-09P-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUD50N02-09P-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 20A (Ta) 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12955098
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUD50N02-09P-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SUD50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
SUD50N02-09P-E3DKR
SUD50N0209PE3
SUD50N02-09P-E3TR
SUD50N02-09P-E3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOD424
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
62191
DiGi رقم الجزء
AOD424-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJ146ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
FCH130N60
MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
SST213 SOT-143 4L ROHS
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
